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IGBT 背面离子植入工艺工程师(年薪:32-80万)
地点:天津市
所属行业: 电子技术/半导体[Electronic Technique/Semicondu...
所属部门:
需求人数:1
本科 | 18岁 -60岁 | 1 年工作经验 | 性别不限
发布日期:2024-04-17
职位描述

仲望咨询致力于为企业提供中高级专业人才的招聘解决方案。迄今已有23年多历史,现在已经成长为亚洲领先的专业猎头顾问公司之一。
工作职责
1.根据工艺课经理和主任工程师的日常工作安排,积极主动的完成给予的工作任务;
2.充分掌握生产线上的工艺情况,处理生产线上异常状况,根据工作内容和需要适当参与值班和轮班;
3. 按照部门工作计划进行机台和材料验证工作,达到成本控制要求。
4.参与公司和部门组织各类培训,组织安排IGBT相关技术培训。

任职要求

任职资格
1.专业要求:电子类、材料类,物理及化学类相关专业
2.教育程度:统招本科及以上学历
3.专业知识:IGBT晶背工艺,特别是背面离子植入知识和经验。
4.专业技能:熟练掌握SPC、FMEA质量工具,以及较高PPT制作技能
5.工作经验:IGBT晶背离子植入工艺相关经验3年以上